BSM50GD120DN2_B10 IGBT module 1200V 50A transistor puissance commutation

Spécifications du module de puissance IGBT BSM50GD120DN2_B10

Le choix du bon transistor est crucial pour la fiabilité de la conversion électronique. Le modèle BSM50GD120DN2_B10 intègre des puces électroniques de pointe configurées en topologie triphasée. Ce composant est la clé de voûte de la gestion de l'énergie dans les applications de commande de mouvement et d'automatisation d'usine.

Efficacité énergétique optimisée pour l'industrie

Grâce à une tension de saturation collecteur-émetteur particulièrement basse, ce circuit limite le gaspillage d'électricité sous forme de chaleur. Vous optimisez ainsi le rendement global de votre parc de machines, ce qui se traduit par des économies d'énergie mesurables et une usure mécanique ralentie de vos moteurs électriques.

Détails des mesures et caractéristiques physiques

Pour assurer la compatibilité géométrique et électrique avec votre carte mère existante, veuillez vérifier les dimensions et valeurs suivantes :

• Tension maximale admissible : 1200 V pour une sécurité accrue face aux bruits de ligne.
• Intensité nominale permanente : 50 A, idéale pour les moteurs de moyenne puissance.
• Entraxe de fixation standardisé facilitant le montage sur les dissipateurs thermiques alu.